平面型半導体光変調器の特性改良
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
並列光情報処理用として光透過型でかつ平面型の半導体光変調器の特性改善を行った.特性としては7Vの電圧変化で消光比約10dB,挿入損4dBであった.動作速度は120MHzであり,試作した素子の動作速度は過去に試作した素子に比べ約100倍の高速化が実現された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
関連論文
- 進行する電子による導波路からの光放射(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- (288)金沢大学工学部全員によるFDシンポジウム(セッション83 ファカルティ・デベロップメントII)
- 48 卒業研究の達成度評価法 : 第3報,結果のフィードバック(教育評価・自己点検・評価システムI,第12セッション)
- 46 卒業研究の達成度評価法 : 第1報,実施法の提案(教育評価・自己点検・評価システムI,第12セッション)
- 45 卒業生による達成度評価の分析 : 第3回調査結果とフィードバック(教育評価・自己点検・評価システムI,第12セッション)
- 高周波重畳法および電気的負帰還法の併用による半導体レーザの雑音低減化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減の広帯域化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-21 InGaN系青紫色半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減化の特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- InGaN系青紫色半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-6 InGaN系青紫色半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- InGaN系青紫色半導体レーザの雑音特性と雑音低減化 : 量子雑音と戻り光雑音および高周波重畳法(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- InGaN系青紫色半導体レーザにおける横マルチモード特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 電子ビームによる光およびミリ波増幅現象の観測(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 電子ビームによる光進行波増幅の試み
- 半導体レーザに強い戻りがある場合の動作および雑音特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 青紫色自励振動lnGaNレーザの動特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 電子ビームを利用した一方向性光増幅器開発の為の基礎実験(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 卒業研究達成度評価の実施
- 平面型半導体光変調器の特性改良
- (93)金沢大学工学部版教師必携とその有効活用(第25セッション 国際化時代における工教育(II),ファカルティ・デベロップメント(II))
- (59)卒業研究達成度評価実施例(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- (58)卒業生による第2回アウトカムズ評価結果の分析(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 平面型半導体光変調器の動作特性改良(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 卒業生による教育目標のアウトカムズ評価法
- 戻り光雑音抑圧による半導体レーザーの安定化
- 自励振動レーザにおける戻り光雑音特性の実験的評価
- 戻り光雑音をほぼ完全に抑圧できる自励振動レーザ
- 自励振動半導体レーザの戻り光雑音特性
- 31a-NG-10 自励振動レーザにおける戻り光雑音特性の理論解析
- 31a-NG-9 自励振動レーザにおける戻り光雑音発生条件の実験的検討
- 自励振動半導体レーザにおける量子雑音の理論解析
- 自励振動半導体レーザの雑音低減メカニズムの理論解析
- 28p-ZG-7 半導体レーザにおける反射戻り光雑音の実験的検討
- ベッセル関数を基本とした周期的に反射率ピークをもつ光フィルタの設計方法の検討
- ベッセル関数を基本とした多重反射点を持つ光フィルタの設計方法の検討
- ベッセル関数を基本とした多重反射点を持つ光フィルタの設計方法の検討
- ベッセル関数を基本とした多重反射点を持つ光フィルタの設計方法の検討
- ベッセル関数を基本とした多重反射点を持つ光フィルタの設計方法の検討
- A designing method of a corrugated optical waveguide filter
- 1-325 卒業生による達成度評価 : アンケート結果の年次推移((14)教育評価・自己点検・評価システム-V)
- GaAsのイオンエッチング (光ICにおけるエッチング技術(技術ノ-ト))
- 電流源・磁流源を用いた境界面からの近接場放射の解析
- 極微小開口を持つDFBレーザを用いた光検出方式の提案
- (54)卒業生によるアウトカムズ評価の実施 : アンケートによる教育目標の達成度判定の試行例(教育評価(II),第13セッション)
- 半導体レ-ザ-の雑音測定 (レ-ザ-計測特集号)
- 真空中の電子ビームを用いた光増幅器実現への試み
- マイクロ波〜光帯域で動作する進行波増幅器の提案
- 半導体面型アレー光変調器の試作
- 半導体面型アレー光変調器の試作
- 多重量子井戸構造を用いた低電圧駆動平面型光変調器の設計
- 多重量子井戸構造を用いた低電圧駆動平面型光変調器の設計
- 電子空乏化を用いた平面型半導体光変調器の設計および試作
- 一方向性光増幅器の理論的提案
- 一方向性光増幅器の理論的提案
- 一方向性光増幅器の理論的提案
- 一方向性光増幅器の理論的提案
- 電界効果を用いた2次元アレー面型光変調器
- 電子緩和現象を考慮したフランツ・ケルディッシュ効果の解析
- 電子空乏化を用いた半導体光変調器の動作機構解析
- 光スイッチの物理-半導体物性を中心に-
- 電子空乏化を用いた半導体光変調器の動作機構
- 半導体レーザにおける自然放出光係数と強度および周波数雑音との関係
- 空乏層厚変化を利用した半導体光変調器
- ポテンシャル制御構造による低しきい値化 (量子井戸構造でレ-ザ-はどこまでよくなるか〔含 コメント〕)
- 卒業研究達成度評価の実施
- 半導体レーザにおけるモード・ホッピング現象の動作特性への影響
- 高周波重畳法および電気的負帰還法を併用による半導体レーザの雑音低減特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体光増幅器での強度雑音の実測 : 理論解析と実験との比較 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体光増幅器での強度雑音の実測 : 理論解析と実験との比較(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)