電子空乏化を用いた平面型半導体光変調器の設計および試作
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概要
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電子空乏化を用いた平面型半導体光変調器の設計と試作を行った.最適な条件で理論設計した例での消光特性は-5Vの電圧変化で約10dB, 挿入損は1dB以下, 動作速度は数百MHz〜数GHzの諸特性が期待できる.一方, 予備的実験として試作した平面型光変調器の消光特性は-7.5Vの電圧変化で約10dBであり, 低い駆動電圧で動作する光透過タイプの変調器が実現された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-25
著者
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