電子空乏化を用いた半導体光変調器の動作機構
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概要
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電子空乏化を用いた半導体光変調器(EDAC光変調器)の動作機構について理論的に実験的に議論した。不純物を添加した直接遷移型半導体中では、電子を空乏化すると光吸収量が増加する。空乏層中では、伝導帯中(価電子帯)の自由電子数(正孔数)が減少するため、1)そのエネルギー準位での電子遷移確率の変化、2)スクリーニング効果の減少による不純物エネルギー準位のシフト、3)内部電界強度の増加(Franz-Kledysh効果)により、バンドーバンド間やバンドー不純物準位間の電子遷移確率が変化する。EDAC光変調器では、これら3つの現象の相乗効果で光吸収量が増大する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-23
著者
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