電流源・磁流源を用いた境界面からの近接場放射の解析

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概要

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超高密度光記録のために近接場光を用いた方法が提案されている。仮想的な電流源、磁流源を用いて、異なる材料からの近接場を含んだ電磁界出射を解析的に取り扱った。屈折率の異なる材料の境界部に存在する開口部からの、電磁界放射と反射についての解析的な式を得た。近接場成分であっても透過電界成分が2n_1/(n_1+n_2)に比例する事と、電界と磁界がインピーダンスZ_2で結び付いている事が分かった。開口が波長に比べて十分小さい場合でも電磁界が出射できることを示した。開口が小さいほど開口近傍で近接場成分と放射場成分の強度差が大きく現れる事を示した。近接場成分が関口近傍に存在し、開口から離れるに従って、急速に減衰していく様子を示した。
2001-05-11

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