InGaN系青紫色半導体レーザにおける電気的正負帰還による雑音低減化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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InGaN系青紫色半導体レーザは大容量光ディスクの光源として開発が進められている.青紫色半導体レーザは低出力光強度において量子雑音が高くなる.我々は量子雑音と戻り光雑音を同時に低減できる電気的正負帰還という方法を開発している.ここでは,電気的正負帰還による雑音低減法を提案し,その特性を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-05-26
著者
-
山田 実
金沢大学工学部
-
山田 実
金沢大学大学院自然科学研究科
-
山田 実
金沢大学工学部電気電子システム工学科
-
桑村 有司
金沢大学工学部
-
桑村 有司
金沢大学大学院
-
寺岡 栄治
金沢大学
-
佐伯 和司
金沢大学
-
山田 実
金沢大学 工学部
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