電子空乏化を用いた半導体光変調器の動作機構解析
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概要
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電子空乏化を用いた半導体光変調器中の光吸収動作機構について理論的および実験的に検討した.不純物を添加した直接遷移形半導体中では,電子を空乏化すると光吸収量が増加する.電子空乏化された領域では,1)伝導帯電子数や価電子帯正孔数の減少,2)スクリーニング効果の減少による不純物エネルギー準位の移動,3)内部電界強度の増加により,バンド-バンド間電子遷移確率が増大する.これらの三つの現象の相乗効果で変調器中の光吸収量が増大する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-25
著者
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