半導体光増幅器におけるS/N比の検討(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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強度変調光を半導体光増幅器(SOA)で増幅した時の増幅率と雑音特性を理論解析し、実験結果と比較した。CW(Continuous Wave)成分と変調成分には増幅率に差があり、CW成分に比べ変調成分の増幅率は小さくなる。また、光強度揺らぎの2乗相関値をCW成分の2乗値で割った値である相対対雑音強度(RIN)は、SOAで増幅することにより改善される場合がある。一方、変調成分の光強度の2乗値を光強度揺らぎの2乗相関値で割った値で定義した信号対雑音比(S/N比)は増幅により劣化する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-10
著者
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