メモリスタ-CMOSハイブリッド回路による非対称STDPシナプスデバイス
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概要
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メモリスタを用いた非対称の時間窓を持つSTDPシナプスデバイスを提案する。メモリスタ(抵抗変化型メモリ:ReRAM),キャパシタ,二つのpMOSFET,および四つのnMOSFETを用いてデバイスを構成した.まず,ReRAMの特性,および本研究で使用するバイポーラ型ReRAMのモデルについて説明する.次に,本研究を行う上で参考となった先行研究の回路動作(STDP特性における時間的因果領域のみを模擬する動作)を説明する.さらにこの回路を拡張したデバイス(STDP特性における時間的因果領域および非因果領域を模擬するデバイス)を提案し,各回路ブロックの詳細な動作を説明する.最後にHSPICEを用いた回路シミュレーションにより,ReRAMを介さずに流れる電流によりキャパシタが充電され,その後流れた電流によりキャパシタが放電され,ReRAMのコンダクタンスが元の値より減少する事を確認する.
- 2011-06-23
著者
-
浅井 哲也
北海道大学 大学院 情報科学研究科
-
浅井 哲也
はこだて未来大複雑系
-
赤穂 伸雄
北海道大学 工学部 情報エレクトロニクス学科
-
赤穂 伸雄
北海道大学大学院情報科学研究科
-
安達 琢
北海道大学工学部情報エレクトロニクス学科
-
本村 真人
北海道大学大学院情報科学研究科
-
安達 琢
北海道大学大学院情報科学研究科
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