次状態関数処理に基づく高速不揮発メモリに対する書き込み最適化(論理設計2,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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消費電力削減の観点から,MRAMやPCMなどの高速不揮発メモリが注目されている.しかし,高速不揮発メモリには,書き込み動作に必要なエネルギーが大きく,書き込み回数に制限があるという問題が存在する.そのため,不要な書き込み動作は可能な限り削減することが望ましい.そこで,本稿では状態遷移レベルにおける不要な書き込みを特定することにより,高速不揮発メモリへの不要な書き込みの削減を図った.状態遷移において次状態が特定のビットの値に依存しない場合,そのビットは冗長なビットとなり,書き込みの必要が無い.このような冗長なビットを各状態で判定する手法を考案し,ISCAS'89ベンチマーク回路に適用したところ,0.45%から50.78%の書き込みが不要であると確認できた.
- 2011-02-23
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