c面配向擬似六方晶Co_<100-x>Ge_x薄膜の一軸結晶磁気異方性(記録システムおよび一般)
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概要
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CoGe合金スパッタ薄膜の結晶磁気異方性エネルギー(K_u)に及ぼすGe添加効果について評価した.In-plane X線回折法を用いて合金膜中に形成される積層欠陥を定量評価し,磁気特性ど構造との相関を詳細に検討したところ,以下のことが明らかとなった.(1)c面配向Ru下地層上に作製されたCoGe薄膜では,Ge添加濃度21at.%以下の組成範囲において,c面配向した擬似六方晶相が形成される.(2)c面配向CoGe薄膜では,Ge添加にともない飽和磁化は単調に減少する一方,K_uはGe10at.%添加において6.3×10^6erg/cm^3の極大を示す.(3)-A-B-C-積層の出現確率をP_<fcc>とすると,Co薄膜ではP_<fcc>は10%であるのに対し,Ge10at.%添加薄膜では1%に減少した.(4)したがって,スパッタCo薄膜へのGe添加は,磁性結晶粒中の積層欠陥を減少させて完全六方晶原子層積層構造に近づける効果がある.このことが,CoGe薄膜においてGeの添加によりK_uが極大を示す原因であると考えられる.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-06-11
著者
-
斉藤 伸
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
高橋 研
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
日向 慎太朗
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
柳沢 龍一
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
高橋 研
東北大
-
高橋 研
東北大学大学院工学研究科
-
斉藤 伸
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻
-
高橋 研
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻
-
斉藤 伸
東北大学大学院 工学研究科
-
高橋 研
東北大学大学院 工学研究科電子工学専攻
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