極薄C層を用いたCoCrPtB/Co_<60>Cr_<40>垂直磁気記録媒体の微細構造解析

概要

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CoCrPtB/Ti,CoCrPtB/Co_<60>Cr_<40>/Ti,CoCrPtB/Co_<60>Cr_<40>/C/Ti垂直磁気記録媒体を作製し,垂直磁気特性および構造を詳細に解析した.Co_<60>Cr_<40>中間層および磁性層の成長様式ならびに極薄C層の挿入効果について検討を行った結果,以下のことが明らかになった.(1)C層を設けずにCo_<60>Cr_<40>中間層を作製した場合,T_<sub.>≥250℃では,中間層中にはCr高濃度のhcp相が形成され,T_<sub.>≤300℃では,σ相とCr低濃度のhcp相が共に形成される.(2)極薄C層を設けたCo_<60>Cr_<40>中間層の場合,Cr高濃度のhcp相はT_<sub.>≤150℃でしか形成されない.T_<sub.>≥200℃では,Cr濃度が低下したhcp相の成長初期核のみが発生し,σ相の形成が抑制される.(3)CoCrPtB/Co_<60>Cr_<40>/C/Ti媒体では,中間層の成長初期部には,微結晶組織が形成され,その上部にはCr偏析構造を有するhcp相c面配向結晶粒がコラム状成長する.その結果,磁性層結晶粒が中間層上に良好にエピタキシャル成長し,垂直磁気特性が著しく改善される.
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-06-28