ポリイミドをターゲットとして作製した高周波スパッタ高分子薄膜 : 成膜時の電力と圧力が分子構造と基板との密着性に与える影響(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
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概要
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ポリイミドをターゲットとしてアルゴンによる高周波スパッタリングにより銅基板上に高分子薄膜を作製し,XPSおよびFT-IRによる薄膜の分子構造の解析を行った.成膜時の圧力および電力を変化させることで,薄膜の組成および分子構造が変化することがわかった.また作製した薄膜についてピンオンディスク型の摩擦磨耗試験機による磨耗耐久性の評価の評価を行った.薄膜の磨耗耐久性は成膜時の圧力を上昇させること,また電力を低下させることにより向上した.さらにSAICASにより薄膜の銅基板との密着力および薄膜のせん断力の評価を行った.薄膜と銅基板との密着性も成膜時の圧力を上昇させること,また電力を低下させることにより向上した.薄膜のせん断力は圧力を上昇させることにより低下することがわかった.
- 2008-10-31
著者
-
上村 彰宏
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
岩森 暁
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
西山 逸雄
ダイプラ・ウィンテス
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岩森 暁
金沢大学大学院 自然科学研究科
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岩森 暁
金沢大学大学院自然科学研究科
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上村 彰宏
金沢大学大学院 自然科学研究科
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西山 逸雄
ダイプラ・ウィンテス株式会社
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