マイクロ波電力増幅器の相互変調ひずみ非対称性と高調波短絡による改善
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概要
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ドレーン電流のゲート電圧およびドレーン電圧による2変数テーラー級数展開モデルを用い,マイクロ波電力増幅器の3次相互変調ひずみ(IMD3)非対称性について,摂動法による解析理論により基本波および低周波,2次高調波回路インピーダンス依存性の詳細な検討を行った.FETのドレーン寄生インダクタンスを考慮した2次高調波短絡回路[1]を用いマイクロ波Si MOSFET電力増幅器のIMDおよびその非対称性について,2次高調波回路インピーダンス依存性及び短絡によるIMD3およびその非対称性の改善を確認した.また,IMD3及びその非対称性についてゲート側回路の低周波および2次高調波回路インピーダンス依存性についても実験的検討を行い提案した短絡回路による改善を確認した.
- 2006-12-15
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
藤田 孝之
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
渡邉 一嗣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
渡邉 一嗣
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
前中 一介
姫路工業大学工学部電子工学科
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大
-
藤田 孝之
兵庫県立大
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