高調波制御によるマイクロ波電力増幅器の3次相互変調ひずみ低減
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概要
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マイクロ波Si MOSFET電力増幅器の3次相互変調ひずみ特性を真のドレイン2次高調波短絡により改善した. 2次高調波短絡回路はトランジスタのドレイン寄生インダクタンスを考慮した回路構成を用いている. ドレイン電流のゲート電圧およびドレイン電圧による2変数テーラー級数展開を用いて3次相互変調ひずみの理論的な検討を行い, 2次高調波を短絡することにより3次相互変調ひずみおよび非対称性の改善が行えることを示した. Si MOSFET電力増幅器を試作して実験的検討を行い, 真のドレイン2次高調波短絡が3次相互変調ひずみおよび非対称性改善に有効であることを示した.
- 2005-12-09
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
藤田 孝之
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
渡邉 一嗣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
山口 一幸
姫路工業大学 工学部
-
渡邉 一嗣
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大
-
藤田 孝之
兵庫県立大
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