ドレイン接地によるデュアルバンドGaAs FET発振器
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概要
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GaAs FETを用いたドレイン接地による発振器のデュアルバンド化構成・設計法の実験的確認を行った. ドレイン接地回路におけるピーク負性コンダクタンス周波数のゲート付加線路長依存性を検討した. 設計周波数を800/1500MHzとし, ゲート付加線路長を選定した. PINダイオードによりゲート付加線路長を変化させて800/1500MHzを切り替える構成の基本回路を決定した. 出力電力および発振周波数の微調整を行うため負荷回路の最適化を行い, デュアルバンド発振器を試作した. その結果, 本構成・設計法が有用であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-09
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
藤田 孝之
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野 健一
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大
-
藤田 孝之
兵庫県立大
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