入力電力不等分配Si MOSFETドハティ電力増幅器
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概要
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本論文ではまず,入出力不等分配合成形のマイクロ波ドハティ電力増幅器の電力分配合成回路設計法を示す.次に,この設計法およびウイルキンソン型電力不等分配器を用いて、入力電力不等分配Si MOSFETドハティ増幅器を設計・製作し,入力分配比パラメータm値依存性及びキャリア増幅器・ピーク増幅器のゲートバイアス電圧条件について実験により詳細な評価検討を行った.その結果,ドハティ増幅器の広ダイナミックレンジの高効率特性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-15
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
藤田 孝之
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
金山 陽平
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大
-
藤田 孝之
兵庫県立大
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