C-11-2 原料ガス分離分解型プラズマCVD法を用いたa-SiN:H薄膜の作製(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
-
本間 和明
東京電機大学
-
本橋 光也
東京電機大学工学部
-
本橋 光也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
仲田 英起
東京電機大学
-
蛭田 泰隆
東京電機大学大学院工学研究科
-
渡辺 侑
東京電機大学工学部
-
仲田 英起
東京電機大学工学部
-
本間 和明
東京電機大 工
-
蛭田 泰隆
東京電機大学
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