水素-窒素系グロー放電プラズマの発光分光分析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-20
著者
関連論文
- 物理学を学んでいない大学生のための基礎物理実験
- 高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の作製法の開発
- H_2-N_2系グロー放電プラズマ中の電子エネルギー状態
- C-11-1 シリコンナノウォールの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 赤外分光法を用いたアモルファス炭化シリコン膜のその場観察とSiH_4-CH_4プラズマの発光分光分析
- シリコン系アモルファス薄膜の熱的構造安定性に関する研究
- SiH_4-CH_4系ガスのグロー放電分解により生じるプラズマの発光特性(半導体材料・デバイス)
- SiH_4-N_2プラズマ中におけるN_2ラジカルの発光特性
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により生じるH_2-N_2プラズマ状態の解析
- C-11-2 原料ガス分離分解型プラズマCVD法を用いたa-SiN:H薄膜の作製(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiC:H膜の光学的特性
- 水素化アモルファスシリコンと金属間の界面反応とシリサイドの形成機構
- Pd/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイドの形成機構
- a-Si_C_x:H膜における光学的および電気的特性の熱処理依存性
- 水素化アモルファスシリコン薄膜における電子の移動度と寿命の同時測定
- 水素化アモルファスシリコン膜における微結晶化過程
- 非分散形伝導を有するアモルファス薄膜中のキャリヤの移動度と寿命の同時測定法
- a-Si : H/a-SiO : H 界面に形成される水素に対するポテンシャル障壁の高さ測定
- 水素化アモルファスシリコン薄膜における光学的ギャップの膜厚依存性
- グロ-放電水素化アモルファスシリコン膜の光照射による構造変化
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により生じるプラズマ状態に関する研究
- 高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の成長プロセスに関する研究
- グロ-放電水素化アモルファスシリコン膜に及ぼすプラズマ制御用電極の影響
- グロ-放電法により作製した水素化アモルファスシリコン薄膜の基板依存性
- 膜堆積時の基板温度がa-SiC:H積層膜中の原子結合状態に与える影響
- 膜堆積時の基板温度がa-SiC:H積層膜中の原子結合状態に与える影響(申請時課題名:ナノ構造を有するシリコン系材料の作製と構造安定性に関する研究)
- ナノ構造シリコンヘのH_2-N_2プラズマ処理効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- C-11-1 H_2-N_2プラズマ処理時のガス圧力がナノ構造シリコンに及ぼす影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-2 マイクロ/ナノシリコンの表面構造とELスペクトルの関係(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 水素-窒素系グロー放電プラズマの発光分光分析
- 水素-窒素系グロー放電プラズマの発光分光分析