膜堆積時の基板温度がa-SiC:H積層膜中の原子結合状態に与える影響
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概要
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- 2011-04-20
著者
-
本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
-
本間 和明
東京電機大学
-
藤本 明
東京電機大 工
-
本橋 光也
東京電機大学工学部
-
本橋 光也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
和賀井 達也
東京電機大学
-
清水 文隆
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
和賀井 達也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
本間 和明
東京電機大 工
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