本間 和明 | 東京電機大 工
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概要
関連著者
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本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
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本間 和明
東京電機大学
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本間 和明
東京電機大 工
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本橋 光也
東京電機大学工学部
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本橋 光也
東京電機大学工学部情報通信工学科
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本間 和明
東京電機大学工学部応用理化学科
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本間 和明
電機大工
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蛭田 泰隆
東京電機大学大学院工学研究科
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本間 和明
東京電機大学工学部
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蛭田 泰隆
東京電機大学
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深海 登世司
東京電機大
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仲田 英起
東京電機大学
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深海 登世司
東京電機大学工学部応用理化学科
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仲田 英起
東京電機大学工学部
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木下 彬
東京電機大学理工学部
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青野 朋義
東京電機大学工学部
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中野 朝安
東京電機大
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阿部 陽一
東京電機大
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小林 保正
東京電機大
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江原 幸治
東京電機大
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登 正治
東京電機大
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和賀井 達也
東京電機大学
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正田 智章
東京電機大学工学部応用理化学科
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和賀井 達也
東京電機大学工学部情報通信工学科
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柳父 悟
東京電機大学
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佐藤 洋一
東海大学短期大学部非常勤講師
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鈴木 俊明
日本電子株式会社
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原 和裕
東京電機大学 工学部
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松田 七美男
東京電機大学工学部物理系列
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松田 七美男
東京電機大学工学部環境物質化学科
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岡田 工
東海大学短期大学部
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本間 和明
東京電機大学工学部物質工学科
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鈴木 伸輔
東京電機大学
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石橋 一成
東京電機大学
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藤本 明
東京電機大 工
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崔 一〓
東海大学短期大学部
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渡辺 一仁
東海大学付属浦安高等学校
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小池 徹
東京電機大学工学部物質工学科
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大久保 努
東京電機大学工学部物質工学科
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崔 一瑛
東海大学短期大学部半導体デバイスセンタ
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安藤 伸一
東京電機大学工学部物質工学科
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曽江 久美
東京電機大学工学部
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鈴木 俊明
日本電子 応用研セ
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松尾 隆裕
東京電機大学
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伊東 是則
東京電機大学工学部
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中路 義久
東京電機大学工学部
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安齋 正弘
東京電機大学工学部
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渡辺 晃次
東京電機大学工学部
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芦部 健太
東京電機大学大学院工学研究科
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渡辺 侑
東京電機大学工学部
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安達 久美
東京電機大学工学部物質工学科
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山本 喜一
東京電機大学工学部応用理化学科
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賀集 晶子
東京電機大学工学部応用理化学科
-
村山 勇樹
東京電機大学工学部応用理化学科
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松田 七美男
東京電機大学大学院工学研究科物質工学専攻
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清水 文隆
東京電機大学工学部情報通信工学科
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佐藤 洋一
東海大学短期大学部情報ネットワーク学科
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佐藤 洋一
東海大学短期大学部
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松田 七美男
東京電機大学
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原 和裕
東京電機大学
著作論文
- ポーラスシリコンを用いた集積化有機ガスセンサにおける電流応答機構
- 真空遮断器バルブにおける金属粒子の拡散現象とその電極形状による影響
- 物理学を学んでいない大学生のための基礎物理実験
- 5)撮像デバイス用a-Si : H膜(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- 撮像デバイス用a-Si : H膜
- H_2-N_2系グロー放電プラズマ中の電子エネルギー状態
- C-11-1 シリコンナノウォールの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 赤外分光法を用いたアモルファス炭化シリコン膜のその場観察とSiH_4-CH_4プラズマの発光分光分析
- SiH_4-CH_4系ガスのグロー放電分解により生じるプラズマの発光特性(半導体材料・デバイス)
- SiH_4-N_2プラズマ中におけるN_2ラジカルの発光特性
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により生じるH_2-N_2プラズマ状態の解析
- C-11-2 原料ガス分離分解型プラズマCVD法を用いたa-SiN:H薄膜の作製(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiC:H膜の光学的特性
- Pd/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイドの形成機構
- a-Si_C_x:H膜における光学的および電気的特性の熱処理依存性
- 水素化アモルファスシリコン薄膜における電子の移動度と寿命の同時測定
- 水素化アモルファスシリコン膜における微結晶化過程
- 非分散形伝導を有するアモルファス薄膜中のキャリヤの移動度と寿命の同時測定法
- a-Si : H/a-SiO : H 界面に形成される水素に対するポテンシャル障壁の高さ測定
- 膜堆積時の基板温度がa-SiC:H積層膜中の原子結合状態に与える影響