仲田 英起 | 東京電機大学工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
本橋 光也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
仲田 英起
東京電機大学工学部
-
本橋 光也
東京電機大学工学部
-
仲田 英起
東京電機大学
-
本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
-
本間 和明
東京電機大学
-
蛭田 泰隆
東京電機大学大学院工学研究科
-
本間 和明
東京電機大 工
-
須田 健一
佐藤工業株式会社中央技術研究所
-
須田 健一
東京電機大学工学部
-
蛭田 泰隆
東京電機大学
-
和賀井 達也
東京電機大学
-
渡辺 晃次
東京電機大学工学部
-
渡辺 侑
東京電機大学工学部
-
和賀井 達也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
長島 康仁
東京電機大学工学部
-
深井 浩輝
東京電機大学工学部
著作論文
- H_2-N_2系グロー放電プラズマ中の電子エネルギー状態
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により生じるH_2-N_2プラズマ状態の解析
- C-11-2 原料ガス分離分解型プラズマCVD法を用いたa-SiN:H薄膜の作製(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- 原料ガス分離分解型プラズマCVD法により生じるプラズマ状態に関する研究
- ナノ構造シリコンヘのH_2-N_2プラズマ処理効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- C-11-1 H_2-N_2プラズマ処理時のガス圧力がナノ構造シリコンに及ぼす影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 水素-窒素系グロー放電プラズマの発光分光分析