水素化アモルファスシリコン薄膜における電子の移動度と寿命の同時測定
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概要
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水素化アモルファスシリコン薄膜へのパルス光照射によって生成した電子の電界作用による掃出しと裾状態への捕獲による減衰過程に着目し,電子の移動度と寿命を同時測定する方法を提案した.更に,実験的に本測定法の妥当性を検証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
-
本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
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本間 和明
東京電機大学
-
本橋 光也
東京電機大学工学部
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本橋 光也
東京電機大学工学部情報通信工学科
-
正田 智章
東京電機大学工学部応用理化学科
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山本 喜一
東京電機大学工学部応用理化学科
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本間 和明
東京電機大 工
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