木下 彬 | 東京電機大学理工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
木下 彬
東京電機大学理工学部
-
中野 朝安
東京電機大
-
青野 朋義
東京電機大学工学部
-
村上 英興
東京学芸大
-
村上 英興
学芸大環境科学
-
伊東 芳子
理研
-
佐藤 倬暢
(株)フジクラ
-
青柳 秀和
東京電機大学理工学部
-
阿部 陽一
東京電機大
-
本橋 章
東京電機大学理工学部
-
村上 英興
東京学芸大学物理
-
本間 和明
東京電機大学工学部電気電子工学科
-
本間 和明
東京電機大学工学部応用理化学科
-
本間 和明
電機大工
-
本間 和明
東京電機大学
-
深海 登世司
東京電機大
-
小林 保正
東京電機大
-
江原 幸治
東京電機大
-
登 正治
東京電機大
-
尾林 見郎
東京電機大学未来科学部
-
本間 和明
東京電機大学工学部
-
深海 登世司
東京電機大学工学部応用理化学科
-
本間 和明
東京電機大 工
-
村上 英興
東学大・環境科学
-
村上 英興
東学大 教育
-
大谷 和正
芝浦工大
-
村上 英興
東学大・教育
-
橋本 章
東京電機大学理工学部
-
佐藤 倬暢
株式会社フジクラ
-
日野 光章
東京電機大学
-
佐藤 倬暢
藤倉電線株式会社
-
根本 富弘
東京電機大
-
菊池 高
東京電機大学
-
鬼塚 信之
東京学芸大学・教育
-
木下 彬
東京電気大・理工
-
村上 英興
東学大
著作論文
- 均一電流密度で作製した陽極化成多孔質シリコンの基礎的性質
- 5)撮像デバイス用a-Si : H膜(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- 撮像デバイス用a-Si : H膜
- 引き上げによるCu_2O結晶成長 : 結晶成長
- 水熱合成法によるCu_2O結晶成長 : 結晶成長
- 熱力学におけるエントロピー増大則の導入法
- 熱力学における力学的仕事
- 熱伝導におけるエントロピー生成の解釈について
- 陽極化成シリコン中の多孔質構造体の分域化
- 陽極化成した非縮退p形シリコン中のミクロンオーダ構造
- 陽極化成シリコンの低周波誘電特性
- 4p-NL-3 As_2Se_3のガラス転移
- 4p-C-8 亜酸化銅の基礎吸収
- 電子ビームによるCu_2Oの発光 : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- Cu_2O-Tio_2 junctionの諸特性(II) : 半導体 : ダイオード
- Grainの大きな亜酸化銅結晶の生成 : 結晶生長
- 28p-P-2 ポーラスシリコン中の陽電子とポジトロニウムの消滅
- 12a-DK-3 ポーラスシリコン中の陽電子消滅とポジトロニュウム生成
- 27p-PSA-18 ポーラスシリコンの陽電子消滅
- 低濃度ボロンを含むシリコンの陽極化成層中の孔の生成機構