陽極化成シリコン中の多孔質構造体の分域化
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概要
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多孔質シリコン(PS)は,数〜十数nmの大きさをもつ単結晶シリコンの骨格部と,同程度の直径の孔で構成されたナノメートルサイズのスポンジ状構造をもつことが知られている.またこれとは別に特定の条件下では,基板に垂直に数μmの径をもつ孔または多孔質柱状構造体を,基板表面に自然発生的にまたは位置を制御して作ることができると最近報告されている.本論文ではPS中のミクロンメートルサイズの構造体には,基板面に垂直な針状または蜂の巣状の単結晶シリコン,および同じく基板面に垂直な柱状のスポンジ状PSがあること,またPS/基板シリコン界面の基板側には,スポンジ状PS柱と同じ径の,くぼみが形成されることを示した.更に化成温度によるこれらの構造体の形成状態の差異について,および分域したスポンジ状PS柱1本の断面積は,これに対応する基板シリコン側の1個のくぼみの表面に,必ず1個のボロン原子が含まれるように決まっていることを指摘した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-25
著者
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