多孔質シリコンを用いた単一ガスセンサによるガス識別の可能性
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概要
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細孔径2.4nmをもつ多孔質シリコンを用いたガスセンサ素子に流れる吸収電流から導かれた誘電損角の周波数依存性に,ガス分子の直径の3乗に逆比例するピーク周波数が見いだされ,これらを用いてガス種の識別が可能であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-25
著者
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