TCPリードの金錫接合部の強度特性 : LSIリードフレーム材料の接続に関する研究(第4報)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
This report considers the low melting point Au-Sn microsoldering (bonding heat tool temp. 523 K and time is 5 sec.) which is applied to the 400 pin count and 0.2 mm lead pitch TCP (Tape Carrier Package) assembling. This method is performed by heat and press tool gang bonding of tin electroplated (6.5 μm thick) copper pattern on substrate and gold electroplated (1.0 μm thick) TCP outer lead with non flux in air. Au-Sn microsoldered layer has the high peel strength and has the high reliability in 423 K storage in air that is higher than Sn-37 mass%Pb microsoldering. And the organic glass-epoxy (FR-4) substrate is not damaged after the Au-Sn microsoldering.
- 社団法人溶接学会の論文
- 1997-05-05
著者
-
熊倉 豊彦
日立電線(株)電線工場電子部品技術部
-
御田 護
日立電線(株)電子部品技術部
-
御田 護
日立電線株式会社電線工場電子部品技術部
-
御田 護
日立電線(株)
-
御田 護
日立電線株式会社電線工場
-
御田 護
日立電線(株) 電線工場
-
熊倉 豊彦
日立電線(株)
関連論文
- フローティング導体層を持つBGAパッケージにおける寄生インダクタンスの低減
- フローティング導体層を持つBGAパッケージにおける寄生インダクタンスの低減
- フローティング導体層を持つBGAパッケージにおける寄生インダクタンスの低減
- イオン照射したポリイミドフィルムとCuスパッタ膜の密着性
- テープ状フィルムの一括積層方式による多層配線板の開発
- 低温金錫接合法による銅箔リードの微細接合とその信頼性 : LSIリードフレーム材料の接続に関する研究(第5報)
- 熱粘弾性解析による CSP-μBGA のエラストマ構造の最適化設計
- 超高速マルチプロセッサ向けSi on Si実装技術
- 複合リードフレームの金錫接合部の強度特性 : LSIパッケージ用リードフレーム材料の接続に関する研究(第3報)
- 148 Au-Sn低温共晶微細接続技術
- 430 狭ピッチ多層リードフレーム製造におけるAu/Sn接合の検討(1)
- 銅系リードフレームはんだ付部の脆化特性
- 狭ピッチリードフレームはんだ接合部の破断モードと合金層成長 : LSIパッケージ用リードフレーム材料の接続に関する研究(第2報)
- 155 銅系リドフレームはんだ付部の脆化特性
- リードフレームはんだ付部の引き剥がし強度特性 : LSIリードフレーム材料の接続に関する研究(第1報)
- フリップチップ実装用積層基板の開発
- TCPリードの金錫接合部の強度特性 : LSIリードフレーム材料の接続に関する研究(第4報)
- 高純度銅原料を用いた銅蒸着膜のめっき特性
- 高純度銅蒸着原料を用いた蒸着膜のエッチングおよびめっき特性