ゲートバイアス印加時における高周波FETのゲート伝送線路モデル
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概要
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高周波域において、FETのゲートを4パラメータを持った伝送線路と考えて解析すると有益であるということが、無バイアスのゲートについて実験的に示されている。本報告ではゲートバイアスによってゲート伝送特性を決定するパラメータがどのように影響を受けるかを実験的に考察した。
- 1996-09-18
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
藤原 誠司
姫路工業大学工学部
-
前田 宗雄
姫路工大
-
ケニー リチャード
姫路工業大学 工学部
-
秦 克範
姫路工業大学
-
ケニー リチャード
姫路工業大学工学部
-
前川 宗雄
姫路工業大学
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