高耐圧SOIデバイスの信頼性評価

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概要

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SOI方式誘電体分離基板を適用した高耐圧パワーIC(SOI-IC)技術は、ウエハ技術とプロセス技術、高耐圧デバイス技術の進歩により量産化一歩手前のところまで到達した。SOI-ICが製品として問題なく市場に受け入れられるためには、その品質と信頼性が確かなものでなければいけない。特に高耐圧パワーICでは出力回路に適用する高耐圧デバイスの耐圧特性における長期信頼性や静電破壊(ESD)耐量を確保する必要がある。今回、250Vクラス高耐圧SOIデバイスの信頼性について加速試験およびESD試験により確認したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-08-13

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