グリーンIDC用電源向け800V-HVIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-10-27
著者
-
澄田 仁志
富士電機株式会社
-
赤羽 正志
富士電機システムズ株式会社
-
澄田 仁志
富士電機システムズ株式会社
-
山路 将晴
富士電機システムズ株式会社
-
上西 顕寛
富士電機システムズ株式会社
-
山路 将晴
富士電機株式会社
-
上西 顕寛
富士電機株式会社
-
赤羽 正志
富士電機株式会社
関連論文
- C-11-11 容量負荷を駆動する横型MOSFETの破壊電圧におけるレイアウトパターン依存性
- 高耐圧横形デバイスの多層金属配線の交差による耐圧変化
- 高耐圧SOI-pMOSの耐圧と電流駆動能力のトレードオフ特性改善
- 高耐圧SOIデバイスの信頼性評価
- 高耐圧横型SOI-Pch.MOSFETの素子耐圧における基板バイアス依存性
- SOI高耐圧デバイスのスイッチング時に発生する基板電流の解析
- 800V保証HVIC技術 (特集 パワー半導体)
- 厚膜SOI基板上に形成した600V-LDMOSの高電圧配線技術
- グリーンIDC用電源向け800V-HVIC
- グリーンIDC用電源向け800V-HVIC
- 0.35μmルールを用いた700VクラスAC/DC電源IC用パワーIC技術
- 電源システム小型化に寄与する電流共振型600VパワーマネジメントIC
- 厚膜SOI基板上に形成した600V-LDMOSの高電圧配線技術
- 0.35μmルールを用いた700VクラスAC/DC電源IC用パワーIC技術
- 電源システム小型化に寄与する電流共振型600VパワーマネジメントIC