高耐圧横形デバイスの多層金属配線の交差による耐圧変化

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概要

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貼り合わせSOI基板上に形成した高耐圧横形IGBTに対して、エミッタ電極あるいはコレクタ電極と接続した2層目金属配線が、異なる電位をもった領域上を横断することによる素子耐圧の変化をシミュレーションと実験によって調べた。また、その耐圧変化を抑えるための手法を考案し、その効果を実証した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-03-13

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