SOI横型IGBTの素子特性におけるnバッファ層インプラドーズ量依存性
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概要
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IGBTの特性においてnバッファ層の濃度は注入効率の大きさや高電圧下での空乏層の拡がりを左右する重要な要因となる。横型IGBTではこのnバッファ層を素子工程において形成できるため,nバッファ層の形成には比較的自由度があり,nバッファ層の形成条件による素子特性の改善が容易である。今回、nバッファ層形成条件によるSOI横型IGBTの特性改善を目的として,素子特性におけるnバッファ層のインプラドーズ量依存性について調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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