澄田 仁志 | 富士電機(株)IC第2開発部

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関連著者

• 澄田 仁志

  富士電機(株)IC第2開発部

• 澄田 仁志

  富士電機 松本工場

• 澄田 仁志

  富士電機株式会社

• 平林 温夫

  富士電機株式会社

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  富士電機株式会社

• 平林 温夫

  富士電機(株)IC第2開発部

• 澄田 仁志

  富士電機総合研究所先端デバイス研究所

• 平林 温夫

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• 田上 三郎

  富士電機株式会社

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  (株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所

• 澄田 仁志

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著作論文

• Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
• Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
• C-11-11 容量負荷を駆動する横型MOSFETの破壊電圧におけるレイアウトパターン依存性
• 高耐圧横形デバイスの多層金属配線の交差による耐圧変化
• 高耐圧SOI-pMOSの耐圧と電流駆動能力のトレードオフ特性改善
• 誘電体分離プロセスを用いたカラ-PDPドライバIC (IC特集)
• 高耐圧SOIデバイスの信頼性評価
• 高耐圧横型SOI-Pch.MOSFETの素子耐圧における基板バイアス依存性
• SOI高耐圧デバイスのスイッチング時に発生する基板電流の解析
• コレクタショート層導入によるSOI横型IGBTの耐圧特性改善
• SOI横型IGBTの素子特性におけるnバッファ層インプラドーズ量依存性
• SOI基板に形成したPch LDMOSの耐圧特性

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