コレクタショート層導入によるSOI横型IGBTの耐圧特性改善
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概要
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SOI高耐圧横型IGBTを形成する場合、素子耐圧をSOIの条件から得られる理論耐圧にいかに近づけるかが大きな目標となる。このため、SOI横型IGBTの高耐圧化に対して様々な方法が提案されてきた。今回、コレクタショート層の導入による素子耐圧改善策を考案し、その効果を実測にて確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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