澄田 仁志 | 富士電機 松本工場
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概要
関連著者
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澄田 仁志
富士電機(株)IC第2開発部
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澄田 仁志
富士電機 松本工場
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澄田 仁志
富士電機株式会社
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平林 温夫
富士電機株式会社
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島袋 浩
富士電機株式会社
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平林 温夫
富士電機(株)IC第2開発部
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澄田 仁志
富士電機総合研究所先端デバイス研究所
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平林 温夫
富士電機総合研究所先端デバイス研究所
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澄田 仁志
富士電機(株) IC第2開発部
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田上 三郎
富士電機株式会社
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平林 温夫
(株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所
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澄田 仁志
(株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所
著作論文
- Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
- Al系材料を用いた100V耐圧横形ショットキーバリアダイオードの検討
- C-11-11 容量負荷を駆動する横型MOSFETの破壊電圧におけるレイアウトパターン依存性
- 高耐圧横形デバイスの多層金属配線の交差による耐圧変化
- 高耐圧SOI-pMOSの耐圧と電流駆動能力のトレードオフ特性改善
- 誘電体分離プロセスを用いたカラ-PDPドライバIC (IC特集)
- 高耐圧SOIデバイスの信頼性評価
- 高耐圧横型SOI-Pch.MOSFETの素子耐圧における基板バイアス依存性
- SOI高耐圧デバイスのスイッチング時に発生する基板電流の解析
- コレクタショート層導入によるSOI横型IGBTの耐圧特性改善
- SOI横型IGBTの素子特性におけるnバッファ層インプラドーズ量依存性
- SOI基板に形成したPch LDMOSの耐圧特性