SOI基板に形成したPch LDMOSの耐圧特性
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概要
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Pch LDMOSは、パワーICを構成するレベルシフト回路などのハイサイドスイッチとして有用なデバイスである。SOI基板に形成したPch LDMOSは、図1に示すように、ソース電位をOVとして、支持基板に負の電源電圧を印加したバイアス条件と同等である。Pch LDMOSをハイサイドスイッチとして電源電圧200VのパワーICへの適用を目的しとて、基板バイアスに対する耐圧特性について調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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