SOI高耐圧デバイスのスイッチング時に発生する基板電流の解析

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概要

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SOI誘電体分離基板上に形成した高耐圧横型デバイスのスイッチング時に発生する変位電流は, 隣接デバイスに流れ込む電流と基板電流の2つに大別できる。この変位電流は素子の損失増加や誤動作の原因となる危険性がある。したがって, 変位電流の発生状態を調べ, そのメカニズムを把握することは非常に重要なことである。我々は, SOI横型IGBTを対象に変位電流の一つである基板電流について調べてきた。その特徴は, 素子のターンオン時に大きな基板電流が発生し, ターンオフ時にはわずがな電流しか流れなかったことにある。今回, SOI横型MOSFETのスイッチング時に発生する基板電流について解析した。そして横型IGBTに発生する基板電流と比較し, デバイス間の相違について調べたので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-03-06

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