高耐圧横型SOI-Pch.MOSFETの素子耐圧における基板バイアス依存性
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概要
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SOI上に形成した高耐圧横型pch.MOSFET(SOI-PMOS)の素子耐圧における基板電圧依存性について報告する。基板電圧を変化させた時の素子耐圧の変化を評価・解析し、素子耐圧の基板電圧依存性を明らかにした。また、SOI-PMOSのハイサイド側への適用を考慮して、負の基板電圧を印加した場合の高耐圧化に必要なデバイス条件を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
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