平林 温夫 | 富士電機総合研究所先端デバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 富士電機総合研究所先端デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 澄田 仁志

  富士電機(株)IC第2開発部

• 澄田 仁志

  富士電機総合研究所先端デバイス研究所

• 平林 温夫

  富士電機総合研究所先端デバイス研究所

• 澄田 仁志

  富士電機 松本工場

著作論文

• コレクタショート層導入によるSOI横型IGBTの耐圧特性改善
• SOI横型IGBTの素子特性におけるnバッファ層インプラドーズ量依存性

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