不揮発性強誘電体メモリにおけるプレート線駆動方式
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概要
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近年、強誘電体材料を用いたメモリデバイス(NVFRAM,Non-Volatile Ferroelectric Random Access Memory)の研究が活発化している。強誘電体材料の持つ双安定状態を、それぞれデータ"0","1"に対応させることにより、電源を切断しても記憶を保持する、いわゆる不揮発性記憶が実現でき、また、1つのトランジスタと1つの強誘電体キャパシタでメモリセルを構成する(1T/1C型メモリセル)ことで、DRAMと同程度の記憶容量/チップ面積比を実現できる可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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