1Mb不揮発性強誘電体メモリ : ビット線レファレンス電位発生方式
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概要
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近年、PZTなどの強誘電体材料をメモリセルのキャパシタに用いた不揮発性メモリが注目されている。図1に、スイッチトランジスタと強誘電体キャパシタから構成される1T1C型メモリセルと、データ"1","0"に対応して強誘電体キャパシタCsからビット線BL上に読み出される電荷量Q_1,Q_0を示す。メモリの読み出し動作はDRAMと同様に、メモリセル情報が読み出されるビット線電位と、ペアになるビット線のレファレンス電位との比較により、"1","0"の判定を行う。本稿では、強誘電体メモリセルからの読み出し電荷量Q_1,Q_0の中間電荷量を読み出すレファレンス電位発生方式を考案したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小池 洋紀
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
-
木村 亨
Nec
-
木村 亨
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
-
大月 哲也
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
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