1Mb不揮発性強誘電体メモリ : メモリセルアレイ設計手法
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概要
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1トランジスタ1キャパシタ(1T/1C)型メモリセル構造[1]を採用することにより、強誘電体材料を用いた不揮発性メモリ(NVFRAM)は、メガビットクラスのものが実現可能となってきている。本稿では、1T/1C型NVFRAMのメモリセルアレイ設計の際に留意すべき条件を指摘し、かつその条件の下で実現された、60ns 1Mb NVFRAMについて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小池 洋紀
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
-
木村 亨
Nec
-
木村 亨
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
-
大月 哲也
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
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