1.6V電源電圧、O.8V振幅、高速動作BiCMOS基本ゲート回路
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概要
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低論理振幅・低電源電圧で高速動作する、新しいBiCMOS基本ゲート回路を提案する。新回路はバイポーラトランジスタのターンオン電圧を擬似的に低減し、低電圧、低振幅で高速動作を実現する。4Mb BiCMOS SRAMで用いた、0.55μmBiCMOSプロセスのデバイスパラメータを用いて評価した結果、0.8V論理振幅、1.6V電圧、F10=4、100MHzで、CMOSに比べ1.7倍の高速化、40%の低消費電力化の実現が予想される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-24
著者
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