プラズマCVDによって作製されたa-Si:H膜に与えるイオン衝撃の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究では,2重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD(MPCVD)装置において,Ar/SiH_4プラズマ中で基板に印加したDCバイアス電圧を変化させてプラズマパラメータの測定を行った.その結果,本MPCVD装置においてDCバイアス電圧を変化させることにより,気相中の反応および基板に入射するイオンのフラックス密度を変化させずにイオン衝撃エネルギーのみを単独に制御できることを明らかにした.そこで,イオン衝撃エネルギーを変化させて水素化アモルファスシリコン膜を作製し,その膜質評価を行った.その結果,イオン衝撃を加えることにより,膜密度,水素の結合状態,光学エネルギーギャップは改善されるものの,Arイオンが膜中に打ち込まれ,ダングリングボンド密度は増加していくことを明らかにした.また,イオン衝撃を加えると,膜表面が加熱されるだけでなく,イオン打込みおよびスパッタリングを起こることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-25
著者
関連論文
- SiN 膜装荷による薄膜導波路形偏光素子
- a-Si:Hナノボール膜からの Photoluminescence のブルーシフト
- Ar/H_2混合ガスプラズマを用いて製膜したa-Si:Hナノボール膜の膜質および発光特性
- マイクロ波プラズマCVDによる光ナノSi薄膜の作製とその評価
- 2重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したa-Si:H/Si_3N_4多層膜の膜質とその光回路素子への応用
- 縦磁界印加によるArプラズマの安定化
- 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVDにおけるN_2/SiH_4プラズマのパラメータの空間分布
- RFバイアス印加同軸線路形マイクロ波プラズマCVDによるSiN膜の低温作製
- マイクロ波プラズマ中に設置した電極の電位がプラズマパラメータに与える影響
- マイクロ波プラズマCVDにおけるラジカル種の制御
- スラブ光導波路を用いた装荷薄膜の屈折率測定
- 半導体膜装荷時の光導波路における透過率の装荷膜厚依存性
- プラズマCVDによって作製されたa-Si:H膜に与えるイオン衝撃の影響
- プラズマCVD法におけるDCバイアスと基板テ-ブル面積のSiH結合量への影響 (熱プラズマ)
- マイクロ波プラズマにおけるDCバイアスと基板テ-ブル面積のプラズマパラメ-タへの影響
- アブストラクト
- 新しいマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置
- 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置によるa-Si : H薄膜作成
- マイクロ波プラズマCVD法におけるSiH4の解離度
- 大気中での酸化を防いだ amorphous-SiNH ナノボール膜からの Photoluminescence 特性