2重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したa-Si:H/Si_3N_4多層膜の膜質とその光回路素子への応用
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概要
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本研究は, 新しい光子材料として, 超薄膜多層構造をもつ良質なa-Si:H/Si_3N_4多層膜の作製及びその膜質の評価とその光子工学への応用を目的としている.我々は, a-Si:H/Si_3N_4多層膜のX線回折ピークから, サブナノオーダで多層膜の厚さを制御することに成功した.Si_3N_4層の厚さを一定にし, a-Si:H層の厚さを変化させて作製した多層膜の光学的エネルギーバンドギャップの理論曲線と実験値はよく一致しており, 良質な多層膜が作製できた.そこで, 本多層膜の応用としてはこれを光導波路として用いた.導波光の波長λよりも十分に薄い超薄膜多層構造をもつ光導波路は特異な伝搬特性をもつことが期待できる.我々は本多層膜スラブ導波路がTMモードを透過し, TEモードはカットするという偏光特性をもつことを見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-01
著者
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加藤 勇
早稲田大学理工学部電子通信学科
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匂坂 雅彦
早稲田大学理工学部電子情報通信学科
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菅井 貴義
早稲田大学理工学部電子情報通信学科
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上垣内 岳司
早稲田大学理工学部電子情報通信学科
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加藤 勇
早稲田大学理工学術院先進理工学研究科
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加藤 勇
早稲田大学
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