マイクロ波プラズマCVDにおけるラジカル種の制御

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概要

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純Arプラズマ中でプローブ法を用いて,2重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置の堆積室内における電子温度,電子密度の空間分布測定を行った.その結果,電子温度,電子密度は,放電管端から4cm程度までは急激に減少し,その後,減少こう配は緩やかになることを明らかにした.SiH_4ガスの混入位置を変化せせることにより,電子温度,電子密度の異なるArプラズマ中でSiH_4ガスを解離させた.その結果,SiH_4ガスの混入位置を変化させることにより,ラジカルのフラグメンテーションパターンを変化させることができることを明らかにした.更に,フラグメンテーションパターンを変化させて成膜し,その膜質評価を行い,低い電子温度のプラズマでSiH_4を解離させることにより,膜質を改善できることを明らかにした.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-04-25

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