縦磁界印加によるArプラズマの安定化

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概要

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本研究は, 2重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置の放電領域部分にガス流に平行な磁界(縦磁界)を印加して, プラズマの径方向への拡散を抑制することにより, 低ガス圧で安定なプラズマを得ることを目的とする. プラズマの安定性は, 電子飽和電流の変動幅および経時変化により検討した. Arガス流量が30, 20, 15 [ml/min]の場合は, 無磁界においてもプラズマの安定性は良いが, 磁界を印加することにより安定性の向上が見られる. また, Arガス流量が10, 8 [ml/min]の場合, 無磁界ではプラズマは不安定であるが, 約500[Gauss]以上の磁界を印加することにより放電管壁への電子の拡散が抑制され, その結果放電管壁での電子の消減が減少することにより, 低ガス圧(低ガス流量)においても安定なマイクロ波プラズマが得られることを明らかにした.
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-11-25

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