MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性(新型不揮発性メモリ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOCVDによる強誘電体メモリの量産技術の開発が行われてきた。基板温度を均一かつ安定に制御し、ガスの加熱、流れおよび混合を原料供給器から除害装置まで徹底して制御することにより、ウェハ面内で膜特性が均一で、再現性に優れ、かつ、低パーティクルな成膜を実現した。また、上下電極成膜やエッチング行程がPZT強誘電体薄膜に与える影響を調べた結果、作製した膜は劣化もなく優れた特性を有することが確認された。得られたPZT膜は、メモリ量産行程に十分対応出来ることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
菊地 真
アルバック半導体技術研究所
-
木村 勲
アルバック半導体技術研究所
-
増田 健
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
西岡 浩
株式会社アミノアップ化学
-
西岡 浩
アルバック半導体技術研究所
-
神保 武人
アルバック半導体技術研究所
-
木村 勲
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
菊地 真
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
梶沼 雅彦
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
神保 武人
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
植田 昌久
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
遠藤 光広
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
小風 豊
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
鄒 紅〓
株式会社アルバック半導体技術研究所
関連論文
- 健康補助食品 AHCC (Active Hexose Correlated Compound) が示す鳥インフルエンザに対する抵抗性
- 強誘電体メモリ量産用強誘電体スパッタ技術
- 強誘電体メモリ量産用強誘電体スパッタ技術
- 強誘電体スパッタ薄膜の組成制御および高速成膜技術
- スパッタ法によるLaAlO_3の成膜と電気特性の評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体MEMS用圧電素子成膜・エッチング技術 (特集 マイクロマシン/MEMSの量産を支える設計・製造技術) -- (製造技術編)
- 高周波マグネトロンスパッタリング法によるPb(Zr, Ti)O_3圧電薄膜の量産技術
- MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性(新型不揮発性メモリ)
- MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性
- 強誘電体キャパシタの高温エッチング開発(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 200nmPLZTスパッタ薄膜の強誘電特性
- ＡＨＣＣ の基礎と臨床 ‐最近の話題‐ : ―最近の話題―