200nmPLZTスパッタ薄膜の強誘電特性
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概要
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強誘電体メモリや混載LSIへの応用を目指して、PLZT強誘電体薄膜の量産スパッタ技術が開発されてきた。量産スパッタ装置(ULVAC CERAUS ZX1000)にPLZT専用モジュールを搭載し、基板温度制御や、プラズマ安定化などにより、優れたプロセス安定性と再現性を実現した。今回は、デバイスの低電圧駆動や高集積化を目標に行った、従来より薄い膜厚を持つ200nmPLZTの成膜プロセスについて報告する。6インチ基板上PLZTスパッタの膜厚、組成均一性のほか、Pt電極を用いた場合のPLZT薄膜の強誘電特性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
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