強誘電体メモリ量産用強誘電体スパッタ技術

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概要

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PZT強誘電体スパッタ技術が強誘電体メモリ量産に利用されている。PZTスパッタ技術のキー・ポイントはPZTスパッタ薄膜の組成制御とプロセス安定性ならびにこれらのことを実現するスパッタ装置の構築である。PZT薄膜は、膜中Pb成分が揮発性が高く、スパッタプロセス中に受けるプラズマ照射や熱の影響を受けやすく、変動しやすい。そのため、従来の技術では、膜組成の経時変化が激しく、量産技術としての信頼性が乏しかった。これに対し、基板温度制御を厳密に行った上、プラズマの安定化を図ることにより、膜組成の安定性と再現性を抜本的に改善し、量産技術の基礎を築くことが出来た。本稿では、スパッタ装置改善による膜組成制御とプロセス安定性、再現性改善について、1000枚ウェハによるマラソンランの結果を中心に述べる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-06-22

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