スパッタ法によるLaAlO_3の成膜と電気特性の評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• High-kゲート絶縁材料としてLaAlO_3薄膜がRFマグネトロンスパッタ法によりp型Si(100)基板上に堆積された。得られたLaAlO_3薄膜はアニール後、上部電極としてマスクスルースパッタによりPtが成膜された。エリプソメータにより測定されたLaAlO_3薄膜の膜厚は24.2nmであった。このPt/LaAlO_3/Si-MISキャパシタのC-VおよびI-V測定をおこなったところ、EOT、k-valueおよびEOT換算絶縁破壊電界はそれぞれ5.4nm、17.4および16.67MV/cmであり、SiO_2やAl_2O_3と比較して優れた特性が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-31

著者

• 菊地 真

  アルバック半導体技術研究所

• 木村 勲

  アルバック半導体技術研究所

• 西岡 浩

  アルバック半導体技術研究所

• 神保 武人

  アルバック半導体技術研究所

• 鄒 紅コウ

  アルバック半導体技術研究所

• 鄒紅 コウ

  (株)アルバック半導体技術研究所

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